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长鑫储存19nm DDR4内存将于明年上市,LPDDR4X正在路上

2019年12月3日 09:10  IT之家  作 者:孤城

12月3日音讯 把柄AnandTech的报导,长鑫存储科技有限公司已经最先运用19纳米打造技术生产DDR4内存。当初,该公司已经订定了至少两个10纳米级打造工艺的路线图,并方案在未来生产整个范例的DRAM。非但云云,长鑫存储还方案再建两个晶圆厂来进步产量。

据报导,当初,长鑫存储正运用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来打造4GB以及8GB的DDR4内存芯片,指标是在2020年第一季度上市。长鑫存储还将运用同样的技术将在2020年下半年打造LPDDR4X内存。该公司的技术路线图包罗17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5内存。

把柄以前的报导,长鑫存储诞生于2016年,业余从事动静随机存取存储芯片(DRAM)的研发、生产以及销售,当初已经建成第一座12英寸晶圆厂。

编 辑:章芳
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